Broj proizvoda proizvođača:

AUIRF7103QTR

Product Overview

Proizvođač:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Broj dijela:

AUIRF7103QTR-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC

Detaljan opis:

Mosfet Array 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

Online Upit

12798453

Zatražite ponudu

Količina
Minimalno 1

4K4a

(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

AUIRF7103QTR Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi

Proizvođač

Infineon Technologies

Pakiranje

Cut Tape (CT)

Serija

HEXFET®

Status proizvoda

Obsolete

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracija

2 N-Channel (Dual)

FET značajka

-

Odvod do izvora voltage (vdss)

50V

Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C

3A

Rds uključeno (maks.) @ id, vgs

130mOhm @ 3A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs

15nC @ 10V

Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds

255pF @ 25V

Snaga - maks.

2.4W

Radna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Razreda

Automotive

Kvalifikacija

AEC-Q101

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket / slučaj

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paket uređaja dobavljača

8-SOIC

Osnovni broj proizvoda

AUIRF7103

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi

HTML Tehnička Dokumentacija

AUIRF7103QTR-DG

Dodatne informacije

Standardni paket

4,000

Ostala imena

INFIRFAUIRF7103QTR

AUIRF7103QDKR

2156-AUIRF7103QTR

AUIRF7103QCT

SP001517980

Ekološka i izvozna klasifikacija

Status RoHS-a

ROHS3 Compliant

Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

Status REACH-a

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

AUIRF7342Q

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC

AUIRF7319Q

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOIC

AUIRF7303Q

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC

infineon-technologies

BSC150N03LDGATMA1

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON