Broj proizvoda proizvođača:
BSZ900N20NS3GATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Broj dijela:
BSZ900N20NS3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Detaljan opis:
N-Channel 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventar:
16519 Komada Novi Original Na Lageru
12799398
Zatražite ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
rRje
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSZ900N20NS3GATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jedinstveni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serija
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
Vrsta FET-a
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvora voltage (vdss)
200 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
15.2A (Tc)
Pogonski napon (Max Rds uključeno, Min Rds uključeno)
10V
Rds uključeno (maks.) @ id, vgs
90mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 30µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
11.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 100 V
FET značajka
-
Rasipanje snage (maks.)
62.5W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
PG-TSDSON-8
Paket / slučaj
8-PowerTDFN
Osnovni broj proizvoda
BSZ900
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
HTML Tehnička Dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
5,000
Ostala imena
BSZ900N20NS3GTR-DG
BSZ900N20NS3GATMA1CT
BSZ900N20NS3GCT
BSZ900N20NS3G
BSZ900N20NS3 G
2156-BSZ900N20NS3GATMA1
BSZ900N20NS3GTR
BSZ900N20NS3GDKR-DG
BSZ900N20NS3GATMA1DKR
BSZ900N20NS3GDKR
BSZ900N20NS3GATMA1TR
SP000781806
BSZ900N20NS3GCT-DG
INFINFBSZ900N20NS3GATMA1
Ekološka i izvozna klasifikacija
Status RoHS-a
ROHS3 Compliant
Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
Status REACH-a
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikacija
Povezani proizvodi
BSS126H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSD816SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5