BTS121ANKSA1

Broj proizvoda proizvođača:

BTS121ANKSA1

Product Overview

Proizvođač:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Broj dijela:

BTS121ANKSA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3

Detaljan opis:

N-Channel 100 V 22A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Inventar:

Online Upit

12800177

Zatražite ponudu

Količina
Minimalno 1

lnEN

(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

BTS121ANKSA1 Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jedinstveni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

Infineon Technologies

Pakiranje

-

Serija

TEMPFET®

Status proizvoda

Obsolete

Vrsta FET-a

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod do izvora voltage (vdss)

100 V

Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C

22A (Tc)

Pogonski napon (Max Rds uključeno, Min Rds uključeno)

4.5V

Rds uključeno (maks.) @ id, vgs

100mOhm @ 9.5A, 4.5V

vgs(th) (maks) @ id

2.5V @ 1mA

Vgs (maks.)

±10V

Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds

1500 pF @ 25 V

FET značajka

-

Rasipanje snage (maks.)

95W (Tc)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Through Hole

Paket uređaja dobavljača

PG-TO220-3

Paket / slučaj

TO-220-3

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi

HTML Tehnička Dokumentacija

BTS121ANKSA1-DG

Dodatne informacije

Standardni paket

500

Ostala imena

BTS121AIN

SP000011200

INFINFBTS121ANKSA1

BTS121A

BTS121AIN-DG

2156-BTS121ANKSA1

Ekološka i izvozna klasifikacija

Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

Status REACH-a

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

infineon-technologies

BSC084P03NS3EGATMA1

MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON

infineon-technologies

IPD50R2K0CEAUMA1

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3

infineon-technologies

IPD096N08N3GBTMA1

MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

IPB50N12S3L15ATMA1

MOSFET N-CHANNEL_100+