Broj proizvoda proizvođača:
IPD135N03LGBTMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Broj dijela:
IPD135N03LGBTMA1-DG
Opis:
LV POWER MOS
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12801096
Zatražite ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
3WG2
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPD135N03LGBTMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jedinstveni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serija
OptiMOS™ 3
Status proizvoda
Not For New Designs
Vrsta FET-a
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvora voltage (vdss)
30 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
30A (Tc)
Pogonski napon (Max Rds uključeno, Min Rds uključeno)
4.5V, 10V
Rds uključeno (maks.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
FET značajka
-
Rasipanje snage (maks.)
31W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
PG-TO252-3
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
IPD135
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
HTML Tehnička Dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
SP000236951
Ekološka i izvozna klasifikacija
Status RoHS-a
ROHS3 Compliant
Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
Status REACH-a
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
IPD135N03LGATMA1
PROIZVOĐAČ
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
31780
BROJ DIJELA
IPD135N03LGATMA1-DG
Cijena po jedinici
0.26
TIP ZAMJENE
Parametric Equivalent
DIGI Certifikacija
Povezani proizvodi
BSP716NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4
IPD65R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
IPB120N06S402ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3