Broj proizvoda proizvođača:
IPS80R1K2P7AKMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Broj dijela:
IPS80R1K2P7AKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
Inventar:
12805799
Zatražite ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
W9fh
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPS80R1K2P7AKMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jedinstveni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serija
CoolMOS™ P7
Status proizvoda
Last Time Buy
Vrsta FET-a
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvora voltage (vdss)
800 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Pogonski napon (Max Rds uključeno, Min Rds uključeno)
10V
Rds uključeno (maks.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 80µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
300 pF @ 500 V
FET značajka
-
Rasipanje snage (maks.)
37W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
PG-TO251-3-342
Paket / slučaj
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Osnovni broj proizvoda
IPS80R1
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
HTML Tehnička Dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,500
Ostala imena
2156-IPS80R1K2P7AKMA1
SP001644626
INFINFIPS80R1K2P7AKMA1
Ekološka i izvozna klasifikacija
Status RoHS-a
ROHS3 Compliant
Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
Status REACH-a
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
STU6N60M2
PROIZVOĐAČ
STMicroelectronics
KOLIČINA DOSTUPNA
4
BROJ DIJELA
STU6N60M2-DG
Cijena po jedinici
0.46
TIP ZAMJENE
MFR Recommended
DIGI Certifikacija
Povezani proizvodi
IPP65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
IRLML6302TR
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
IRL3715ZSPBF
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
