Broj proizvoda proizvođača:
RN1610(TE85L,F)
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
RN1610(TE85L,F)-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventar:
1250 Komada Novi Original Na Lageru
12891318
Zatražite ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
RGMj
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN1610(TE85L,F) Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni tranzistor (BJT), Bipolarni tranzistorski sklopovi, prethodno polarizirani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serija
-
Status proizvoda
Active
Vrsta tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Struja - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napon - proboj kolektora (maks.)
50V
Otpornik - baza (R1)
4.7kOhms
Otpornik - baza odašiljača (R2)
-
Pojačanje istosmjerne struje (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce zasićenje (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - Ograničenje kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvencija - prijelaz
250MHz
Snaga - maks.
300mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SC-74, SOT-457
Paket uređaja dobavljača
SM6
Osnovni broj proizvoda
RN1610
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
RN1610(TE85LF)CT
RN1610(TE85LF)DKR
RN1610(TE85LF)TR
Ekološka i izvozna klasifikacija
Status RoHS-a
RoHS Compliant
Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
DIGI Certifikacija
Povezani proizvodi
RN1709,LF
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
RN1962FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1503(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV