Broj proizvoda proizvođača:
TK22A10N1,S4X
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
TK22A10N1,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 22A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
29 Komada Novi Original Na Lageru
12889659
Zatražite ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
wumf
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK22A10N1,S4X Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jedinstveni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serija
U-MOSVIII-H
Status proizvoda
Active
Vrsta FET-a
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvora voltage (vdss)
100 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
22A (Tc)
Pogonski napon (Max Rds uključeno, Min Rds uključeno)
10V
Rds uključeno (maks.) @ id, vgs
13.8mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 300µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 50 V
FET značajka
-
Rasipanje snage (maks.)
30W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
TO-220SIS
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
TK22A10
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
TK22A10N1S4X
TK22A10N1,S4X(S
TK22A10N1,S4X-DG
Ekološka i izvozna klasifikacija
Status RoHS-a
ROHS3 Compliant
Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikacija
Povezani proizvodi
2SJ681(Q)
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD2
SSM3K341TU,LF
MOSFET N-CH 60V 6A UFM
SSM3J16CT(TPL3)
MOSFET P-CH 20V 100MA CST3
