Broj proizvoda proizvođača:
TK290P65Y,RQ
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
TK290P65Y,RQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12890913
Zatražite ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
Q9va
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK290P65Y,RQ Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jedinstveni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serija
DTMOSV
Status proizvoda
Active
Vrsta FET-a
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvora voltage (vdss)
650 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Pogonski napon (Max Rds uključeno, Min Rds uključeno)
10V
Rds uključeno (maks.) @ id, vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 450µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 300 V
FET značajka
-
Rasipanje snage (maks.)
100W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
DPAK
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
TK290P65
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,000
Ostala imena
TK290P65Y,RQ(S
TK290P65YRQDKR
TK290P65YRQCT
TK290P65YRQTR
TK290P65YRQ(S
Ekološka i izvozna klasifikacija
Status RoHS-a
ROHS3 Compliant
Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikacija
Povezani proizvodi
SSM3K35MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
TPN5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
TK10A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
