Početna
Proizvodi
Proizvođači
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogovi i Objave
Zahjev za ponudu
Croatia
Prijavite se
Odabir jezika
Trenutni jezik vašeg izbora:
Croatia
Prebaci:
Engleski
Europa
Ujedinjena Kraljevina
Francuska
Španjolska
Turska
Moldavija
Litva
Norveška
Njemačka
Portugal
Slovačka
ltaly
Finska
Ruski
Bugarska
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češki
Grčki
Hrvatska
Izrael
Srbija
Bjelarus
Nizozemska
Švedska
Crna Gora
Baskijski
Island
Bosna
Mađarski
Rumunjska
Austrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kina
Vijetnam
Indonezija
Tajland
Laos
Filipinski
Malezija
Koreja
Japan
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudijska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mianmar
Afrika, Indija i Bliski istok
Ujedinjeni Arapski Emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipat
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunis
Južna Amerika / Oceanija
Novi Zeland
Angola
Brazil
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolovija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Australija
Sjeverna Amerika
Sjedinjene Države
Haiti
Kanada
Kostarika
Meksiko
O DiGi
O nama
O nama
naše certifikate
DiGi Uvod
Zašto DiGi
Politika
Politika kvalitete
Uvjeti korištenja
RoHS usklađenost
Proces povrata
Resursi
Kategorije proizvoda
Proizvođači
Blogovi i Objave
Usluge
Jamstvo kvalitete
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cijene dostave
Česta pitanja
Broj proizvoda proizvođača:
TK5R1P08QM,RQ
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
TK5R1P08QM,RQ-DG
Opis:
UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Detaljan opis:
N-Channel 80 V 84A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
15568 Komada Novi Original Na Lageru
12967433
Zatražite ponudu
Količina
Minimalno 1
*
Tvrtka
*
Ime kontakt osobe
*
Telefon
*
E-pošta
Adresa isporuke
Poruka
E
v
n
a
(
*
) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK5R1P08QM,RQ Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jedinstveni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serija
U-MOSX-H
Status proizvoda
Active
Vrsta FET-a
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvora voltage (vdss)
80 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
84A (Tc)
Pogonski napon (Max Rds uključeno, Min Rds uključeno)
6V, 10V
Rds uključeno (maks.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 42A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 700µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
3980 pF @ 40 V
FET značajka
-
Rasipanje snage (maks.)
104W (Tc)
Radna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
DPAK
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
TK5R1P08QM,RQ
HTML Tehnička Dokumentacija
TK5R1P08QM,RQ-DG
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
264-TK5R1P08QM,RQDKR-DG
264-TK5R1P08QM,RQDKR
264-TK5R1P08QMRQDKR
264-TK5R1P08QM,RQTR
TK5R1P08QM,RQ(S2
264-TK5R1P08QM,RQCT-DG
264-TK5R1P08QM,RQCT
264-TK5R1P08QMRQTR
264-TK5R1P08QM,RQTR-DG
264-TK5R1P08QMRQCT
Ekološka i izvozna klasifikacija
Status RoHS-a
ROHS3 Compliant
Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikacija
Povezani proizvodi
SIJH600E-T1-GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
2SJ462-T1-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
UF3SC065030D8S
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
2SK1567-E
N-CHANNEL POWER MOSFET