Početna
Proizvodi
Proizvođači
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogovi i Objave
Zahjev za ponudu
Croatia
Prijavite se
Odabir jezika
Trenutni jezik vašeg izbora:
Croatia
Prebaci:
Engleski
Europa
Ujedinjena Kraljevina
Francuska
Španjolska
Turska
Moldavija
Litva
Norveška
Njemačka
Portugal
Slovačka
ltaly
Finska
Ruski
Bugarska
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češki
Grčki
Hrvatska
Izrael
Srbija
Bjelarus
Nizozemska
Švedska
Crna Gora
Baskijski
Island
Bosna
Mađarski
Rumunjska
Austrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kina
Vijetnam
Indonezija
Tajland
Laos
Filipinski
Malezija
Koreja
Japan
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudijska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mianmar
Afrika, Indija i Bliski istok
Ujedinjeni Arapski Emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipat
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunis
Južna Amerika / Oceanija
Novi Zeland
Angola
Brazil
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolovija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Australija
Sjeverna Amerika
Sjedinjene Države
Haiti
Kanada
Kostarika
Meksiko
O DiGi
O nama
O nama
naše certifikate
DiGi Uvod
Zašto DiGi
Politika
Politika kvalitete
Uvjeti korištenja
RoHS usklađenost
Proces povrata
Resursi
Kategorije proizvoda
Proizvođači
Blogovi i Objave
Usluge
Jamstvo kvalitete
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cijene dostave
Česta pitanja
Broj proizvoda proizvođača:
TK6A80E,S4X
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
TK6A80E,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 6A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
15 Komada Novi Original Na Lageru
12890093
Zatražite ponudu
Količina
Minimalno 1
*
Tvrtka
*
Ime kontakt osobe
*
Telefon
*
E-pošta
Adresa isporuke
Poruka
F
1
l
S
(
*
) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK6A80E,S4X Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jedinstveni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serija
π-MOSVIII
Status proizvoda
Active
Vrsta FET-a
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvora voltage (vdss)
800 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
6A (Ta)
Pogonski napon (Max Rds uključeno, Min Rds uključeno)
10V
Rds uključeno (maks.) @ id, vgs
1.7Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 600µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
FET značajka
-
Rasipanje snage (maks.)
45W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
TO-220SIS
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
TK6A80
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
TK6A80E
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
TK6A80ES4X
TK6A80E,S4X(S
Ekološka i izvozna klasifikacija
Status RoHS-a
ROHS3 Compliant
Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
STF6N62K3
PROIZVOĐAČ
STMicroelectronics
KOLIČINA DOSTUPNA
963
BROJ DIJELA
STF6N62K3-DG
Cijena po jedinici
0.83
TIP ZAMJENE
Similar
DIGI Certifikacija
Povezani proizvodi
SSM3J328R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
SSM3K336R,LF
MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
2SK2507(F)
MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
SSM3J144TU,LF
MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM