Broj proizvoda proizvođača:
TPN11003NL,LQ
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
TPN11003NL,LQ-DG
Opis:
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 11A (Tc) 700mW (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
2619 Komada Novi Original Na Lageru
12891204
Zatražite ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
iYAU
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TPN11003NL,LQ Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jedinstveni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serija
U-MOSVIII-H
Status proizvoda
Active
Vrsta FET-a
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvora voltage (vdss)
30 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
11A (Tc)
Pogonski napon (Max Rds uključeno, Min Rds uključeno)
4.5V, 10V
Rds uključeno (maks.) @ id, vgs
11mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 100µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 15 V
FET značajka
-
Rasipanje snage (maks.)
700mW (Ta), 19W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / slučaj
8-PowerVDFN
Osnovni broj proizvoda
TPN11003
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
TPN11003NLLQCT
TPN11003NL,LQ(S
TPN11003NLLQDKR
TPN11003NLLQTR
Ekološka i izvozna klasifikacija
Status RoHS-a
RoHS Compliant
Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
RQ3E120GNTB
PROIZVOĐAČ
Rohm Semiconductor
KOLIČINA DOSTUPNA
11286
BROJ DIJELA
RQ3E120GNTB-DG
Cijena po jedinici
0.14
TIP ZAMJENE
Similar
DIGI Certifikacija
Povezani proizvodi
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
TPC8032-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
TK18A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS