Broj proizvoda proizvođača:
TPN2R203NC,L1Q
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
TPN2R203NC,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 45A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
5468 Komada Novi Original Na Lageru
12890740
Zatražite ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
nA0W
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TPN2R203NC,L1Q Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jedinstveni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serija
U-MOSVIII
Status proizvoda
Active
Vrsta FET-a
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvora voltage (vdss)
30 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
45A (Tc)
Pogonski napon (Max Rds uključeno, Min Rds uključeno)
10V
Rds uključeno (maks.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 500µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
2230 pF @ 15 V
FET značajka
-
Rasipanje snage (maks.)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / slučaj
8-PowerVDFN
Osnovni broj proizvoda
TPN2R203
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
5,000
Ostala imena
TPN2R203NCL1QDKR
TPN2R203NC,L1QTR-DG
TPN2R203NCL1QCT
TPN2R203NC,L1QCT
TPN2R203NCL1QTR
TPN2R203NC,L1Q(M
TPN2R203NC,L1QCT-DG
TPN2R203NC,L1QDKR-DG
TPN2R203NC,L1QTR
TPN2R203NC,L1QDKR
Ekološka i izvozna klasifikacija
Status RoHS-a
RoHS Compliant
Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikacija
Povezani proizvodi
TK31E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
TK14A45DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 450V 13.5A TO220SIS
TPH3R704PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP