Broj proizvoda proizvođača:
IPA65R400CEXKSA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Broj dijela:
IPA65R400CEXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V TO220
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 15.1A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
235 Komada Novi Original Na Lageru
12801088
Zatražite ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
S9aZ
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPA65R400CEXKSA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jedinstveni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serija
CoolMOS™
Status proizvoda
Active
Vrsta FET-a
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvora voltage (vdss)
650 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
15.1A (Tc)
Pogonski napon (Max Rds uključeno, Min Rds uključeno)
10V
Rds uključeno (maks.) @ id, vgs
400mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 320µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
710 pF @ 100 V
FET značajka
-
Rasipanje snage (maks.)
31W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
PG-TO220-FP
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
IPA65R400
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
HTML Tehnička Dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
448-IPA65R400CEXKSA1
IPA65R400CEXKSA1-DG
SP001429766
Ekološka i izvozna klasifikacija
Status RoHS-a
ROHS3 Compliant
Razina osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
Status REACH-a
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikacija
Povezani proizvodi
IPD70R1K4P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
IPD16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
IPD135N03LGBTMA1
LV POWER MOS
